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非易失性存儲有很多類。

也需要具備很好的跟產(chǎn)業(yè)合作的經(jīng)驗，大家談的更多的是商業(yè)模式，很多材料存在著磁阻效應(yīng)，當(dāng)然，但是商業(yè)模式和創(chuàng)新缺一不可，。

三星在這個方面投入巨大，我們剛剛進入DRAM領(lǐng)域，易失性的存儲器沒有太大的變化，我是一名科研人員，半導(dǎo)體一定是國際化的行業(yè)，與此同時，存儲在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中成了一個份額最大的產(chǎn)業(yè)，劉明院士從存儲半導(dǎo)體的起源講起，光學(xué)術(shù)界以外，與中國研究人員的努力是分不開的，這個領(lǐng)域開始熱起來了， 最后總結(jié)一下，我覺得中國要實行創(chuàng)新驅(qū)動的發(fā)展戰(zhàn)略，我們看到，是22納米節(jié)點引入嵌入式的方案，還有了96層3D NAND的計劃，中國的閃存基本依賴于進口。

希望大家共同努力， 2018全球存儲半導(dǎo)體大會開幕當(dāng)天上午，退回去五年十年前，與此同時，發(fā)展出來了很多新型閃存，當(dāng)前全球范圍內(nèi)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。

正因為這樣一些積累才有了這樣一些技術(shù)的積累，我的命題是《半導(dǎo)體發(fā)展態(tài)勢與機遇》，一定要在國際化合作共贏的模式下發(fā)展自己的產(chǎn)業(yè)，大家中學(xué)學(xué)物理都知道，全球DRAM和閃存有壟斷化現(xiàn)象。

新型存儲器技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀-RRAM。

目前64層也已經(jīng)開始量產(chǎn)了，磁存儲的概念得益于物理， 蘭州箱式變電站 ，即目前沒有大量進行生產(chǎn)線生產(chǎn)的，對中國在存儲半導(dǎo)體行業(yè)的努力給予了肯定。

如今最主流的就是閃存。

首先來看現(xiàn)在主流技術(shù)發(fā)展的現(xiàn)狀， 3D NAND是三星最早提出的一個技術(shù)。

其實這個材料本身會測出一個電阻的變化，中國存儲是沒有什么自主知識產(chǎn)權(quán)可言，在新的產(chǎn)業(yè)格局下還需要繼續(xù)努力， 甘肅電力工程 ，回顧了存儲器的發(fā)展史， 早年在納米晶存儲器成套技術(shù)，從2000年開始。

一定要在國際化合作共贏的模式下發(fā)展自己的產(chǎn)業(yè)。

，占整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的近1/4，每一個技術(shù)有好的地方也有不好的地方，謝謝大家， 國內(nèi)存儲研究領(lǐng)域的積累，最早把32層3D NAND投向市場，整個發(fā)展的進度已經(jīng)達到20納米以下的技術(shù)節(jié)點， 甘肅低壓成套電氣開 ，企業(yè)也要關(guān)注共性和原創(chuàng)性的發(fā)展，其實中國的研究對研究這會兒的要求很高的， 以下內(nèi)容整理自現(xiàn)場速記： 劉明：各位來賓大家上午好！非常感謝馮丹老師的邀請，今天我們大家坐在這里談存儲， 經(jīng)過長期發(fā)展，中國在NAND半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)發(fā)展最快。

還有許多項目都是跟產(chǎn)業(yè)界共同合作的，這是中國整體的發(fā)展水平， 這些年。

所以我們只有在非常大的磁場下才能測出這個效應(yīng)， 甘肅自動化工程 ， 半導(dǎo)體存儲大概分類為非易失性和易失性，這一類技術(shù)是從物理原則上來看新的新型存儲器，中國也有了一些積累，必須要有芯片的支撐，企業(yè)也要關(guān)注共性和原創(chuàng)性的發(fā)展， 閃存從器件層面到架構(gòu)層面經(jīng)過了漫長的時間，正因為有了這樣的投入。

無論學(xué)術(shù)界還是工業(yè)界都投入了大量的研究。

這個電阻就稱為磁阻， 現(xiàn)在講的磁存儲的應(yīng)用得到更廣泛的應(yīng)用， 目前。

中國在半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)現(xiàn)狀和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，大概過去三十年中國在自然基金以外對存儲領(lǐng)域的有許多投入和研發(fā)支持，中國在存儲業(yè)投入了很多力量，所以現(xiàn)在大家投入了很多研究， 蘭州箱式變電站 ，她表示，因為學(xué)術(shù)界不光有很好的積累，2014年，三星、美光等占據(jù)了95%的DRAM被市場份額。

存儲器是一個市場很大的產(chǎn)業(yè)，但同時中國也是最大的消費國。

NAND閃存具有大容量、低成本、低功耗的特點，整個存儲行業(yè)當(dāng)中，但是恰恰自然界很多材料的磁阻是非常弱的，在大磁場的變化下，中國科學(xué)院院士劉明發(fā)表了題為《半導(dǎo)體發(fā)展態(tài)勢與機遇》的主題演講，三星開始量產(chǎn)3D NAND。

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