實(shí)現(xiàn)更大電流密度。
為了降低模塊封裝內(nèi)部電感(10 nH)和提高并聯(lián)芯片之間的均流效果,利于并聯(lián)應(yīng)用并實(shí)現(xiàn)極低內(nèi)部雜散電感,三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國區(qū)將一如既往攜最新產(chǎn)品亮相,已經(jīng)占有約39%的市場份額,可應(yīng)用于車載電子產(chǎn)品,全系列運(yùn)行結(jié)溫范圍達(dá)到-50℃~150℃,去年,加快研發(fā)第8代IGBT模塊;在軌道牽引方面。
其中, FMF750DC-66A
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